掺杂GaN纳米线制备技术

推荐语

氮化镓（GaN）的化学性质稳定，并且具有许多优异的物理性质，包括带隙宽、介电常数小、击穿电压高、导热性能高等，使其在光电子器件和功能器件方面具有广阔的应用前景。GaN作为第三代半导体材料，是目前全球半导体研究的热点和前沿，GaN纳米线的可控合成可以为电子器件的设计与制备提供坚实的基础，从而进一步提升其在电子器件方面的应用。

掺杂是一种改善材料电学性质的有效手段，本书对掺杂GaN纳米线的制备工艺及性能进行了系统介绍，是作者研究小组近十年来在GaN纳米线制备领域的主要研究工作和成果，内容主要涉及各种元素掺杂GaN纳米线的制备技术和AlN包覆GaN纳米线的制备及表征等。

本书共分9章，主要内容包括各种元素掺杂GaN纳米线的制备工艺与性能测试。对掺杂可以改善GaN纳米线电学特性的原因进行了讨论。另外，还介绍了AlN包覆GaN纳米线的制备及表征，分析了AlN包覆GaN纳米线的形成机理。本书内容涉及物理、化学、材料和电子信息等多个领域的相关知识，书中详细地给出了各种掺杂GaN纳米线制备的最佳工艺，以便读者更好地了解本书的内容。

目录

1 绪论

1.1 纳米材料概述

1.2 GaN材料概述

1.3 GaN纳米线的合成方法

1.4 纳米线的生长机制

1.5 场发射理论

参考文献

2 P掺杂GaN纳米线的制备及性能

2.1 实验原料

2.2 衬底的处理

2.3实验步骤及形貌分析

2.4 P掺杂GaN纳米线的物相分析

2.5 P掺杂GaN纳米线的性能

2.6 P掺杂GaN纳米的生长机制分析

参考文献

3 Te掺杂GaN纳米线的制备及性能

3.1 实验方法及设备

3.2 实验过程

3.3 样品的表征与分析

3.4 Te掺杂GaN纳米线的性能

参考文献

4 Sn掺杂GaN纳米线的制备及性能

4.1 实验方案

4.2 实验设备

4.3 实验过程

4.4 结果与讨论

4.5 Sn掺杂GaN纳米线生长机制分析

4.6 Sn掺杂GaN纳米线的性能

参考文献

5 Ge掺杂GaN纳米线的制备及性能

5.1 制备方法

5.2 表征方法

5.3 实验过程

5.4 不同浓度Ge掺杂GaN纳米线的制备及性能

5.5 六棱锥状Ge掺杂GaN纳米线的制备及性能

参考文献

6 Sb掺杂GaN纳米线的制备及性能

6.1 实验仪器

6.2 实验方法和药品试剂

6.3 样品表征方法

6.4 样品制备及形貌分析

6.5 不同掺杂质量比的Sb掺杂GaN纳米线物相分析

6.6 Sb掺杂GaN纳米线的生长机制分析

参考文献

7 C-Sn共掺GaN纳米线的制备及性能

7.1 实验方法及设备试剂

7.2 衬底的选择

7.3 实验步骤及形貌分析

7.4 C-Sn共掺GaN纳米线的EDS表征

7.5 C-Sn共掺GaN纳米线的XRD表征

参考文献

8 Se-Te共掺GaN纳米线的制备及性能

8.1 Se-Te共掺GaN纳米线的制备

8.2 实验结果与分析

8.3 Se-Te共掺GaN纳米线的物相分析

8.4 Se-Te共掺GaN纳米线生长机制的分析

8.5 Se-Te共掺GaN纳米线的性能

参考文献

9 GaN/AlN核壳结构纳米线的制备及理论研究

9.1 理论计算概念简介

9.2 计算软件简介

9.3 参数设定与模型构建

9.4 计算结果与分析

9.5 实验方案设计

9.6 实验药品

9.7 结果与分析

参考文献