绝缘层表面能对有机晶体管迁移率的调控分析及应用

推荐语

本书首先利用物理气相输运法生长超薄的Ph5T2单晶，通过机械转移的方式在八种绝缘层上制备了单晶场效应晶体管，研究绝缘层表面性质对Ph5T2单晶器件迁移率的影响规律。其次，为了验证上述规律的普适性，选择传统的并五苯和酞菁锌单晶，并在不同表面能的绝缘层上制备其单晶场效应晶体管，以进行性能分析。最后，以发现的实验规律为指导，制备了目前所见报道最高迁移率的DNTT单晶场效应晶体管，反映了材料的本征性能和规律的正确性。

高迁移率且性能稳定的有机场效应晶体管可以拓宽其在电子产品中的实际应用。本书通过大量实验得出的经验规律对后续提高有机场效应器件性能在筛选绝缘层方面提供了优化方向，并对其实际应用提供了更多可能，从而有力推动有机半导体电子学的发展。

本书主要介绍了通过分析在不同绝缘层制备的有机场效应晶体管性能，得出绝缘层与半导体层表面能匹配可以提高场效应迁移率的规律。全书共4章，具体内容包括：有机场效应晶体管简介及发展现状分析，Ph5T2单晶场效应晶体管的制备及其性能分析，表面能匹配对于不同单晶材料普适性的讨论，以及利用表面能匹配为指导制备高迁移率DNTT单晶场效应晶体管等。

目录

1 绪论

1.1 场效应晶体管简介

1.2 有机薄膜场效应晶体管

1.3 有机单晶场效应晶体管

1.4 半导体/绝缘层的界面性质对有机场效应晶体管性能的影响

参考文献

2 Ph5T2单晶场效应晶体管的制备及其性能分析

2.1 Ph5T2单晶的生长及表征

2.2 绝缘层的制备及表征

2.3 绝缘层性质对Ph5T2单晶场效应晶体管性能的影响

2.4 本章小结

参考文献

3 表面能匹配对于不同单晶材料普适性的讨论

3.1 并五苯单晶场效应晶体管

3.2 酞菁锌单晶场效应晶体管

3.3 表面能及其分量匹配与其他实验结论的兼容

3.4 不同半导体和绝缘层表面能的汇总

3.5 本章小结

参考文献

4 高迁移率DNTT单晶场效应晶体管的制备

4.1 DNTT单晶的生长及表征

4.2 DNTT表面能的计算及选取

4.3 绝缘层的选取、制备及表征

4.4 高迁移率DNTT单晶场效应晶体管的制备

4.5 本章小结

参考文献