二维GaN纳米片制备技术及特性调控
ISBN:978-7-5024-9996-9
作者:崔真 柳南 李恩玲(著)
出版时间:2024年9月
图书定价:79元
推荐语
本书可供电子科学与技术、微电子学与固体电子学、光电信息工程、物理学类本科生、研究生及相关领域工程技术人员阅读,也可作为高等院校相关专业师生的教学参考用书。
内容简介
本书共分14章,主要内容包括两步法制备氮化镓纳米片、化学气相沉积法制备氮化镓纳米片、液态金属催化法制备二维氮化镓纳米片,掺杂、吸附、钝化对二维氮化镓纳米片电子和光学特性的调控机制,二维氮化镓/Si9C15异质结光催化性能和扭曲双层二维氮化镓电子、力学和光学特性。
目录
1 绪论
1.1 二维材料
1.2 GaN材料
1.3 二维GaN材料的制备方法
参考文献
2 理论计算基础
2.1 第一性原理
2.2 密度泛函理论
2.3 密度泛函微扰理论
参考文献
3 两步法制备GaN纳米片以及光谱分析
3.1 实验制备部分
3.2 γ-Ga2O3纳米片的制备与表征
3.3 GaN纳米片的表征
3.4 GaN纳米片的光谱特性
参考文献
4 化学气相沉积法制备GaN纳米片
4.1 实验试剂与仪器
4.2 实验步骤
4.3 不同工艺条件下GaN纳米片的制备与表征
参考文献
5 液态金属催化法和氨化二维氧化镓法制备二维GaN纳米片
5.1 实验原料
5.2 实验原理
5.3 实验步骤
5.4 实验结果与讨论——液态金属催化法
5.5 实验结果与讨论——氨化二维氧化镓法
参考文献
6 工艺条件对二维GaN纳米材料的影响
6.1 实验方案
6.2 实验材料
6.3 实验设备
6.4 实验原理
6.5 结果与讨论
参考文献
7 Mg、C和S掺杂g-GaN的电子结构和物理性质
7.1 研究方法与研究模型
7.2 结果与讨论
参考文献
8 Cs、S和O吸附二维GaN体系的理论研究
8.1 理论计算模型及方法
8.2 计算结果及讨论
参考文献
9 钝化与掺杂二维GaN理论研究
9.1 参数设定与模型构建
9.2 计算结果与讨论
参考文献
10 二维GaN的电子与光谱特性
10.1 屈曲结构GaN的电子与光谱特性
10.2 平面结构GaN的电子与光谱特性
参考文献
11 有机分子吸附g-GaN的电子特性与电荷转移
11.1 研究方法与计算参数
11.2 研究模型
11.3 电荷分布与能带结构分析
11.4 外部电场对吸附体系的影响
参考文献
12 超卤素吸附g-GaN单层电子、磁和输运特性
12.1 研究方法与模型
12.2 结果与讨论
参考文献
13 g-GaN/Si9C15异质结光催化性能
13.1 研究方法与模型
13.2 结果与讨论
参考文献
14 扭曲双层g-GaN电子、力学和光学特性
14.1 研究方法与模型
14.2 结果与讨论
参考文献
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