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二维GaN纳米片制备技术及特性调控

书名:二维GaN纳米片制备技术及特性调控
ISBN:978-7-5024-9996-9
作者:崔真 柳南 李恩玲(著)
出版时间:2024年9月
图书定价:79元

推荐语

本书可供电子科学与技术、微电子学与固体电子学、光电信息工程、物理学类本科生、研究生及相关领域工程技术人员阅读,也可作为高等院校相关专业师生的教学参考用书。

 

内容简介

本书共分14章,主要内容包括两步法制备氮化镓纳米片、化学气相沉积法制备氮化镓纳米片、液态金属催化法制备二维氮化镓纳米片,掺杂、吸附、钝化对二维氮化镓纳米片电子和光学特性的调控机制,二维氮化镓/Si9C15异质结光催化性能和扭曲双层二维氮化镓电子、力学和光学特性。

 

目录

1 绪论

1.1 二维材料

1.2 GaN材料

1.3 二维GaN材料的制备方法

参考文献

 

2 理论计算基础

2.1 第一性原理

2.2 密度泛函理论

2.3 密度泛函微扰理论

参考文献

 

3 两步法制备GaN纳米片以及光谱分析

3.1 实验制备部分

3.2 γ-Ga2O3纳米片的制备与表征

3.3 GaN纳米片的表征

3.4 GaN纳米片的光谱特性

参考文献

 

4 化学气相沉积法制备GaN纳米片

4.1 实验试剂与仪器

4.2 实验步骤

4.3 不同工艺条件下GaN纳米片的制备与表征

参考文献

 

5 液态金属催化法和氨化二维氧化镓法制备二维GaN纳米片

5.1 实验原料

5.2 实验原理

5.3 实验步骤

5.4 实验结果与讨论——液态金属催化法

5.5 实验结果与讨论——氨化二维氧化镓法

参考文献

 

6 工艺条件对二维GaN纳米材料的影响

6.1 实验方案

6.2 实验材料

6.3 实验设备

6.4 实验原理

6.5 结果与讨论

参考文献

 

7 Mg、C和S掺杂g-GaN的电子结构和物理性质

7.1 研究方法与研究模型

7.2 结果与讨论

参考文献

 

8 Cs、S和O吸附二维GaN体系的理论研究

8.1 理论计算模型及方法

8.2 计算结果及讨论

参考文献

 

9 钝化与掺杂二维GaN理论研究

9.1 参数设定与模型构建

9.2 计算结果与讨论

参考文献

 

10 二维GaN的电子与光谱特性

10.1 屈曲结构GaN的电子与光谱特性

10.2 平面结构GaN的电子与光谱特性

参考文献

 

11 有机分子吸附g-GaN的电子特性与电荷转移

11.1 研究方法与计算参数

11.2 研究模型

11.3 电荷分布与能带结构分析

11.4 外部电场对吸附体系的影响

参考文献

 

12 超卤素吸附g-GaN单层电子、磁和输运特性

12.1 研究方法与模型

12.2 结果与讨论

参考文献

 

13 g-GaN/Si9C15异质结光催化性能

13.1 研究方法与模型

13.2 结果与讨论

参考文献

 

14 扭曲双层g-GaN电子、力学和光学特性

14.1 研究方法与模型

14.2 结果与讨论

参考文献

 

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